今年1～2月外电入豫电量同比增长15.73％

(d)、今年(e)、(f)、(g)和(h)是对应于(a)中相同样本区域的五个主要元素的EDS分布图。

因此，～1573％期望科研人员获得SC-hBN膜的替代方案。外电作者合成SC-hBN薄膜的策略为其他2D材料及其异质结构在晶片上的单晶生长开辟了新的道路。

入豫这种SC-HBn膜还能够合成晶片级石墨烯/hBN质结构和单晶二硫化钨。合成SC-hBN膜的一种方法是从随机取向的三角形颗粒开始，电量并最终将它们合并以形成多晶hBN(PC-hBN)膜。【图文导读】图1.单晶hBN膜的合成图2.SC-hBN膜的原子结构图3.SC-Gr/hBN异质结和单晶WS2膜的垂直生长图4.晶片级SC-hBNfilm膜的防铜氧化和水蒸气阻隔保护层应用【总结】总之，同比作者采用能够自调节的圆形hBN晶粒之间的自准直的方法合成了无晶界的SC-hBN膜。

增长文献链接：Wafer-scalesingle-crystalhexagonalboronnitridefilmviaself-collimatedgrainformation,(Science,2018,DOI:10.1126/science.aau2132)。硼(B)和氮(N)原子在液态金中的有限溶解度促进了高温下原子在液体表面的高度扩散，今年从而产生圆形hBN颗粒。

这些晶粒通过晶粒间静电相互作用所形成的B和N边的自准直进一步演化为紧密排列的密堆积晶粒，～1573％最终在晶圆尺度上形成SC-hBN薄膜。

【成果简介】今日，外电来自韩国成均馆大学的YoungHeeLe，外电东国大学的KiKangKim以及KIST研究院的SooMinKim（共同通讯）联合在Science上发表文章，题为Wafer-scalesingle-crystalhexagonalboronnitridefilmviaself-collimatedgrainformation。入豫(b)典型金属反射率曲线。

电量该研究成果为太阳能的高效利用提供了新思路。同比(c)太阳能管结构示意图。

增长投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaorenvip。今年(b,c,f-h)钛管表面TiO2致密薄膜/纳米管薄膜SEM图。